Resum
Els moduladors són elements clau per a la transmissió del senyal i el processament de la informació. Les tècniques de fabricació avançades “complementary metal-oxide semiconductor” (CMOS) permeten reduir dràsticament les dimensions d'estos dispositius d'interés per a la implementació a gran escala en un xip de silici a baix cost. El treball realitzat en esta tesi es centra en el disseny, la fabricació i la caracterització d´estructures d'ona lenta amb l'objectiu de realitzar moduladors compactes i eficients integrats en un xip de silici. El treball es dividix en quatre capítols i un capítol de conclusió i perspectives. El capítol u introduïx els fonaments de física de l'estat sòlid i dels mecanismes bàsics de propagació guiada de la llum per reflexió total interna. El capítol dos presenta els paràmetres importants dels moduladors electroòptics així com un treball de recopilació de tots els mecanismes físics que poden ser empleats per a modular la llum en silici. A més, es presenta l'estat de l'art dels moduladors basats en silici. El capítol tres presenta el disseny, fabricació i caracterització d'un modulador electroòptic en silici compacte i eficient basat en l'efecte d'ona lenta en una estructura periòdica unidimensional integrada, la geometria de la qual, semblant a la d'una xarxa de Bragg, permet reduir la velocitat de grup d'un paquet d'ones. El dit efecte, s'empra per a incrementar la interacció llum-matèria i per tant l'eficiència del modulador electroòptic. El capítol quatre demostra experimentalment que dita guia unidimensional periòdica pot ser millorada a fi d'aconseguir que l'efecte de baixa velocitat de grup succeïsca en un rang major de longituds d'ona per a possibles aplicacions com la multiplexació per divisió de longitud d'ona. En el capítol cinc, es proporcionen conclusions i perspectives sobre el treball realitzat.