Optimisation des paramètres photovoltaïques du CIGS a l aide du simulateur AMPS-1D

Abstract

[FR] Le Silicium Indium de Gallium et Cuivre (CIGS) dans sa structure chalcopyrite possède des propriétés électriques et électroniques intéressantes. Notre étude a porté sur la concentration de dopage des différentes couches constituant le CIGS et les effets des contacts avant et arrière sur les performances photovoltaïques de la cellule solaire. Nous avons fait la simulation de la variation de la concentration de dopage des différentes couches constituant le CIGS à l¿aide d¿AMPS-1D. Les effets du dopage des différentes couches constituant la cellule solaire à base de CIGS sur les paramètres photovoltaïques tel que le rendement (¿) la tension de circuit ouvert (Vco) et la densité de court-circuit(Jsc) ont été étudiés.L¿augmentation de la concentration de dopage des couches a un effet sur les performances des cellules solaires. Le plus grand rendement a été obtenu lorsqu¿on a augmenté la concentration dedopage de la couche absorbeur. L¿augmentation des conditions aux limites du contact avant diminue le rendement des cellules photovoltaïques tandis que l¿augmentation des conditions aux limites du contact arrière l¿augmente.

[EN] Copper indium gallium (di) selenide (CIGS) in its chalcopyrite structure has electrical and electronic properties. Our study focused on the doping of the various layers constituting the CIGS and the effects of the front and back contacts on the photovoltaic performance of the solar cell. We simulated the variation of the doping concentration of the various layers constituting the CIGS using AMPS-1D. The effects of the doping of the various layers of the CIGS solar cell on the photovoltaic parameters such as the efficiency (¿) open circuit voltage (Vco) and the court circuit density (Jsc) have been analyzed. The increase in the doping of the layers has an effect on the performance of the solar cells. The greatest efficiency was obtained when the doping of the absorbed layer is height. The increase in the boundary conditions of the front contact decreases the efficiency of the photovoltaic cells while the increase in boundary conditions of the back contact increases.