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Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil

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Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil

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Urgelles Pérez, H. (2020). Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/165143

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Título: Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil
Autor: Urgelles Pérez, Helen
Director(es): Sanchis Kilders, Pablo Parra Gómez, Jorge
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació
Fecha acto/lectura:
2020-09-24
Fecha difusión:
Resumen:
[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es analizar y demostrar experimentalmente nuevos dispositivos híbridos basados en la combinación de silicio y GST (germanio-antimonio-telurio o GeSbTe) para aplicaciones que ...[+]


[EN] The goal of this project is to analyze and experimentally demonstrate new hybrid devices based on the combination of silicon and GST (germanium-antimony-tellurium or GeSbTe) for applications that require a non-volatile ...[+]
Palabras clave: Comunicaciones ópticas , Nanofotónica , Circuitos integrados ópticos , Silicio , Calcogenuros. , Optical communications , Nanophotonics , Optical integrated circuits , Silicon , Chalcogenides.
Derechos de uso: Cerrado
Editorial:
Universitat Politècnica de València
Titulación: Máster Universitario en Tecnologías, Sistemas y Redes de Comunicaciones-Màster Universitari en Tecnologies, Sistemes i Xarxes de Comunicacions
Tipo: Tesis de máster

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