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Electrochemical Fabrication and Characterization of p-CuSCn/n-ZnO Heterojunction Devices

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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Electrochemical Fabrication and Characterization of p-CuSCn/n-ZnO Heterojunction Devices

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Marí Soucase, B.; Singh, KC.; Ortiz Moya, L.; Mollar García, MA. (2013). Electrochemical Fabrication and Characterization of p-CuSCn/n-ZnO Heterojunction Devices. Journal of Solid State Electrochemistry. 17(3):667-673. doi:10.1007/s10008-012-1913-2

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/68420

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Título: Electrochemical Fabrication and Characterization of p-CuSCn/n-ZnO Heterojunction Devices
Autor:
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Física Aplicada - Departament de Física Aplicada
Universitat Politècnica de València. Instituto de Diseño para la Fabricación y Producción Automatizada - Institut de Disseny per a la Fabricació i Producció Automatitzada
Fecha difusión:
Resumen:
[EN] p-CuSCN/n-ZnO heterojunction devices were prepared by depositing CuSCN electrochemically over a ZnO film previously deposited. The compact and smooth surface films of n-ZnO on FTO substrate were deposited electrochemically ...[+]
Palabras clave: ZnO/CuSCN interface , Electrochemical deposition , Heterojunction , Rectification , I–V curve
Derechos de uso: Cerrado
Fuente:
Journal of Solid State Electrochemistry. (issn: 1432-8488 ) (eissn: 1433-0768 )
DOI: 10.1007/s10008-012-1913-2
Editorial:
Springer Verlag (Germany)
Versión del editor: http:dx.doi.org/10.1007/s10008-012-1913-2
Código del Proyecto: info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/269279
Agradecimientos:
This work was supported by the Spanish Government through MCINN grant MAT2009-14625-C03-03 and European Commission through NanoCIS project FP7-PEOPLE-2010-IRSES (ref. 269279). K.C. Singh acknowledges MEC for the financial ...[+]
Tipo: Artículo

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