Peñaranda Foix, Felipe LaureanoCerdà Moreno, Santiago2026-01-072026-01-072025-12-192026-01-07https://riunet.upv.es/handle/10251/231371[EN] In this work, functional GaAs-based laser diodes with etched facets are demonstrated. In order to achieve this, extensive front-end work in the clean room and optoelectronic measurements was carried out. With the aim of obtaining optimal results in facet etching, previous optimization work for the etching recipes in test wafers was completed. Then, a full laser diode production front-end process with epitaxially-structured wafers was followed. Finally, after wafer singulation, the devices were optoelectronically measured to determine their emission spectrum and intrinsic parameters.[ES] En este trabajo, se demuestran diodos láser funcionales basados en GaAs y con facetas grabadas. Para conseguirlo, se ha realizado un extensivo trabajo de front-end en sala limpia y medidas optoelectónicas. Con el objetivo de obtener resulados óptimos en el grabado de las facetas, primero se ha completado un trabajo previo de optimización de las recetas de grabado en obleas de prueba. A continuación, se ha seguido un proceso completo de front-end para la producción de diodos láser haciendo uso de obleas de GaAs con estructuras epitaxiales. Finalmente, después de singular los dispositivos, éstos han sido sometidos a medidas optoelectrónicas de su espectro de emisión y parámetros intrínsicos.[CA] En aquest treball, es demostren diòdes làser funcionals basats en GaAs i amb facetes gravades. Per a aconseguir-ho, s’ha dut terme un extensiu treball de front-end en sala neta i mesures optoelectròniques. Per tal d’obtindre resultats òptims en el gravat de les facetes, primer s’ha completat un treball previ d’optimització de les receptes de gravat en oblies de prova. Seguidament, s’ha seguit un procés complet de front-end per la producció de diòdes làser fent ús d’oblies de GaAs amb estructures epitaxials. Finalment, després de singular els dispositius, aquests han sigut sotmesos a mesures optoelectròniques del seu espectre i paràmetres intrínsics.80Reserva de todos los derechosSemiconductorsFacetEtchingOutput powerSemiconductoresDiodo LáserArseniuro de galioFacetaPotencia de salidaMáster Universitario en Ingeniería de Telecomunicación-Màster Universitari en Enginyeria de TelecomunicacióTesis de másterAbierto