El silici ´es un material de vital import`ancia en microelectr`onica i
en fot`onica. Les propietats semiconductores del silici estan darrere dels
conceptes que governen el funcionament de la majoria dels dispositius
electr`onics com els diodes i els transistors. El concepte d’integraci´o ha
perm`es processar dispositius molt xicotets, que poden arribar a tindre
un tamany nanom`etric. L’alt ´index de refracci´o del silici permet confinar
la llum en estructures de tamany microm`etric. Aquest es el cas de
dispositius fot`onics com les guies dona i les cavitats. Usualment, tant
els dispositius fot`onics com els electr`onics estan basats en la tecnologia
planar, ´es a dir, posseeixen una topologia plana, siguent aquesta una
font de p`erdues. ´Es ben conegut que les cavitats esf`eriques confinen la
llum amb m´es efici`encia que les cavitats planars. Aquesta tesi tracta sobre
el desenvolupament d’un nou tipus de micropart´icules esf`eriques que
anomenem Coloids de Silici. Degut a la seva forma esf`erica, al seu alt
´index de refracci´o i a la seva suau superf´icie, aquestes part´icules funcionen
com a micro-cavitats `optiques amb modes ressonants ben definits en
l’infraroig proper. La tesi reporta sobre la s´intesis, i les propietats estructurals
i `optiques dels coloids de silici amb di`ametre compr´es entre 0.5 i
3.5 micr`ometres. Els coloids de silici podrien facilitar el desenvolupament
de microcavitats d’alt factor de qualitat amb una alta efici`encia de confinament
de la llum, i permetrien la integraci´o de dispositius electr`onics
i fot`onics com per exemple una uni´o p-n en una sola part´icula. Aquesta
tesi reporta tamb´e sobre els coloids de silici com a elements integrants
de les Esponges Fot`oniques, les quals estan formades per una xarxa desordenada
de microesferes de silici de diferents tamanys, i interaccionen
amb la llum fortament en un ampli rang de longituds d’ona.