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Listar por autor "Parra Gómez, Jorge"

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All-Optical Hybrid VO2/Si Waveguide Absorption Switch at Telecommunication Wavelengths

Parra Gómez, Jorge; Ivanova-Angelova, Todora; Menghini, Mariela; Homm, Pía; Locquet, Jean-Pierre; Sanchis Kilders, Pablo (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021-05-01)

[EN] Vanadium dioxide (VO2) is one of the most promising materials for developing hybrid photonic integrated circuits (PICs). At telecommunication wavelengths, VO2 exhibits a large change on the refractive index (¿n ~ 1 ...
All-optical phase control in nanophotonic silicon waveguides with epsilon-near-zero nanoheaters

Parra Gómez, Jorge; Pernice, Wolfram H. P.; Sanchis Kilders, Pablo (Nature Publishing Group, 2021-05-04)

[EN] A wide variety of nanophotonic applications require controlling the optical phase without changing optical absorption, which in silicon (Si) photonics has been mostly pursued electrically. Here, we investigate the ...
Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST

Santomé Valverde, Alejandro (Universitat Politècnica de València, 2021-10-11)

[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es caracterizar experimentalmente y analizar las prestaciones de conmutación fotónica que es posible alcanzar mediante estructuras guiadas basadas en la combinación de silicio y ...
Demonstration of ultra-low-loss electro-optical switches in silicon nitride technology

Ribera Vicent, Miguel (Universitat Politècnica de València, 2022-10-04)

[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es la demostración experimental y análisis de prestaciones de conmutadores electroópticos integrados en tecnología de nitruro de silicio. La tecnología de nitruro de silicio elegida ...
Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil

Urgelles Pérez, Helen (Universitat Politècnica de València, 2021-04-14)

[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es analizar y demostrar experimentalmente nuevos dispositivos híbridos basados en la combinación de silicio y GST (germanio-antimonio-telurio o GeSbTe) para aplicaciones que ...
Desarrollo de la tecnología de silicio amorfo para aplicaciones fotónicas

Parra Gómez, Jorge (Universitat Politècnica de València, 2016-12-07)

El objetivo del TFG es el desarrollo de dispositivos fotónicos basados en tecnología de silicio amorfo para la implementación de aplicaciones pasivas tales cómo filtrado o (de)multiplexación. Para ello, se estudiarán los ...
Diseño de acopladores direccionales fotónicos usando herramientas comerciales

García Devesa, Abel (Universitat Politècnica de València, 2020-10-19)

[ES] El acoplador direccional es un bloque básico que se utiliza prácticamente en cualquier circuito integrado fotónico. Su función principal es separar o combinar señales ópticas. El objetivo de este Trabajo Fin de Grado ...
Diseño de un acoplador direccional asimétrico combinando silicio y nitruro de silicio

Santomé Valverde, Alejandro (Universitat Politècnica de València, 2021-10-09)

[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es llevar a cabo el diseño de un acoplador direccional asimétrico en tecnología fotónica de silicio y nitruro de silicio. Dicha configuración ayudaría a mejorar la eficiencia de ...
Diseño y caracterización de calentadores basados en óxido de indio y estaño para circuitos en fotónica de silicio

Parra Gómez, Jorge (Universitat Politècnica de València, 2018-10-05)

El objetivo del TFM es el analisis, diseño y caracterización experimental de calentadores basados en óxido de indio y estaño para sintonizar, mediante el efecto termo-óptico, la respuesta de dispositivos basados en la ...
Enhancing Pockels effect in strained silicon waveguides

Olivares-Sánchez-Mellado, Irene; Parra Gómez, Jorge; Brimont, Antoine Christian Jacques; Sanchis Kilders, Pablo (The Optical Society, 2019-09-16)

[EN] The magnitude and origin of the electro-optic measurements in strained silicon devices has been lately the object of a great controversy. Furthermore, recent works underline the importance of the masking effect of ...
Experimental demonstration of a tunable transverse electric pass polarizer based on hybrid VO2/silicon technology

Sánchez Diana, Luis David; Olivares-Sánchez-Mellado, Irene; Parra Gómez, Jorge; Menghini, Mariela; Homm, Pia; Locquet, Jean-Pierre; Sanchis Kilders, Pablo (The Optical Society, 2018-08-01)

[EN] A tunable transverse electric (TE) pass polarizer is demonstrated based on hybrid vanadium dioxide/silicon (VO2/Si) technology. The 20-mu m-long TE pass polarizer exploits the phase transition of the active VO2 material ...
High-efficiency grating coupler for an ultralow-loss Si3N4-based platform

Chmielak, B.; Suckow, S.; Parra Gómez, Jorge; Duarte, V. C.; Mengual Chulia, Teresa; Piqueras Ruipérez, Miguel Ángel; Giesecke, A. L.; Lemme, M. C.; Sanchis Kilders, Pablo (The Optical Society, 2022-05-15)

[EN] Integrated silicon nitride waveguides of 100¿nm height can achieve ultralow propagation losses below 0.1¿dB/cm at the 1550¿nm wavelength band but lack the scattering strength to form efficient grating couplers. An ...
Impact of GST thickness on GST-loaded silicon waveguides for optimal optical switching

Parra Gómez, Jorge; Navarro-Arenas, Juan; Kovylina-Zabyako, Miroslavna; Sanchis Kilders, Pablo (Nature Publishing Group, 2022-06-13)

[EN] Phase-change integrated photonics has emerged as a new platform for developing photonic integrated circuits by integrating phase-change materials like GeSbTe (GST) onto the silicon photonics platform. The thickness ...
Low-threshold power and tunable integrated optical limiter based on an ultracompact VO2/Si waveguide

Parra Gómez, Jorge; Navarro-Arenas, Juan; Menghini, Mariela; Recaman, Maria; Pierre-Locquet, Jean; Sanchis Kilders, Pablo (American Institute of Physics, 2021-12-03)

[EN] Optical limiters are nonlinear devices that encompass applications from device protection to activation functionalities in neural networks. In this work, we report an optical limiter on silicon photonics based on an ...
Non-volatile epsilon-near-zero readout memory

Parra Gómez, Jorge; Olivares-Sánchez-Mellado, Irene; Brimont, Antoine Christian Jacques; Sanchis Kilders, Pablo (The Optical Society, 2019-08-15)

[EN] The lack of memory effect of silicon makes it unfeasible to store electronic data in photonics. Here we propose a nonvolatile readout photonic memory, which is electronically written/erased and optically read. The ...
Non-Volatile Photonic Memory Based on a SAHAS Configuration

Olivares-Sánchez-Mellado, Irene; Parra Gómez, Jorge; Sanchis Kilders, Pablo (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021-04)

[EN] The non-volatile memory is a crucial functionality for a wide range of applications in photonic integrated circuits, however, it still poses a challenge in silicon photonic technology. This problem has been overcome ...
Optical switching in hybrid VO2/Si waveguides thermally triggered by lateral microheaters

Olivares-Sánchez-Mellado, Irene; Sánchez Diana, Luis David; Parra Gómez, Jorge; Larrea-Luzuriaga, Roberto Alejandro; Griol Barres, Amadeu; Menghini, Mariela; Homm, Pia; Jang, Lee-Woon; van Bilzen, Bart; Seo, Jin Won; Locquet, Jean-Pierre; Sanchis Kilders, Pablo (The Optical Society, 2018-05-14)

[EN] The performance of optical devices relying in vanadium dioxide (VO2) technology compatible with the silicon platform depends on the polarization of light and VO2 properties. In this work, optical switching in hybrid ...
Optical switching in VO2/Si waveguides with efficient microheaters

Morcillo Roldán, Juan Francisco (Universitat Politècnica de València, 2023-07-26)

[ES] El objetivo del trabajo fin de grado es mejorar el consumo energético de dispositivos de conmutación basados en tecnología de VO2/Si mediante el uso de microcalentadores altamente eficientes. El dióxido de vanadio ...
Photonic switches based on Sb2Se3/Si technology for datacom applications

Benacloche Llácer, Cristina (Universitat Politècnica de València, 2023-07-26)

[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es el desarrollo de conmutadores electro-ópticos en tecnología de Sb2Se3/Si. La integración del seleniuro de antimonio (Sb2Se3) en estructuras de silicio permite el desarrollo de ...
Redes de difracción de alto rendimiento e insensibles a la polarización habilitadas por metamateriales dieléctricos y algoritmos inspirados en la naturaleza

Parra Gómez, Jorge (Universitat Politècnica de València, 2020-05-13)

[ES] La complejidad de las estructuras emergentes en fotónica integrada hace que su optimización sea difícil y con altos costes asociados en términos de tiempo y recursos. Los circuitos fotónicos integrados (PICs, en inglés) ...