Satian Guaman, Daniela Fernanda(Universitat Politècnica de València, 2024-10-10)
[ES] El fosfuro de galio (GaP) es un semiconductor del grupo indirect-bandgap utilizado para aplicaciones ópticas en estado sólido debido a su elevado índice de refracción, altas propiedades no lineales y gran band-gap ...
Clemente Lloscos, María(Universitat Politècnica de València, 2015-01-05)
El proyecto tiene como finalidad la validación de un software desarrollado para el futuro diseño de cavidades que permitan la medida de permitividades complejas de materiales en modo TE0np. Se desarrollan una serie de ...