Estudio y caracterización de SiC-MOSFETs de potencia para su uso en cargadores embarcados de vehículos eléctricos

Abstract

[ES] En el presente proyecto se estudiarán y caracterizarán las pérdidas de conmutación de diferentes transistores SiC-MOSFETs empleados en las etapas de potencia de los cargadores embarcados (OBC) de última generación para vehículos eléctricos. Para ello se llevará a cabo un estudio experimental de las pérdidas de conmutación de diferentes alternativas disponibles en el mercado y se sustentarán los resultados mediante simulación con el programa LTSPice. Los SiC-MOSFETs bajo estudio serán disparados mediante un doble pulso de duración variable y se obtendrán los parámetros necesarios para el cálculo de las pérdidas de conmutación, conocidas como Eon para la conmutación a conducción y Eoff para la conmutación a corte. El objetivo final de este estudio es encontrar posibles alternativas a los MOSFETs que actualmente se están utilizando en los cargadores embarcados, proponiendo los circuitos de puerta y amortiguamiento más adecuados para disparar de forma óptima cada uno de los transistores en función de los requerimientos de conmutación que tengan dentro de las distintas etapas de potencia de un OBC.