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RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia
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| Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide | 202 |
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| Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 3 | 0 |
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| Marti - Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide.pdf | 692 |
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| Polonia | 4 |
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| Fuzhou | 14 |
| Ugena | 14 |
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| Nanjing | 8 |
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