- -

Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

Compartir/Enviar a

Citas

Estadísticas

  • Estadisticas de Uso

Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots

Mostrar el registro sencillo del ítem

Ficheros en el ítem

Thumbnail
Nombre: Canet-Ferrer, j. - ...
Tamaño: 944.9Kb
Formato: PDF
Descripción: Versión editorial
Abrir
dc.contributor.author Canet-Ferrer, J. es_ES
dc.contributor.author Muñoz Matutano, Guillermo es_ES
dc.contributor.author Herranz, J. es_ES
dc.contributor.author Rivas, D. es_ES
dc.contributor.author Alén, B. es_ES
dc.contributor.author González, Y. es_ES
dc.contributor.author Fuster, D. es_ES
dc.contributor.author González, L. es_ES
dc.contributor.author Martínez-Pastor, J. es_ES
dc.date.accessioned 2014-09-30T08:34:07Z
dc.date.available 2014-09-30T08:34:07Z
dc.date.issued 2013-10
dc.identifier.issn 0003-6951
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/40431
dc.description.abstract [EN] We have studied the optical properties of InAs site-controlled quantum dots (SCQDs) grown on pre-patterned GaAs substrates. Since InAs nucleates preferentially on the lithography motifs, the location of the resulting QDs is determined by the pattern, which is fabricated by local oxidation nanolithography. Optical characterization has been performed on such SCQDs to study the fundamental and excited states. At the ground state different exciton complex transitions of about 500 μeV linewidth have been identified and the fine structure splitting of the neutral exciton has been determined (≈65 μeV). The observed electronic structure covers the demands of future quantum information technologies es_ES
dc.description.sponsorship The authors want to acknowledge the financial support from Spanish government through grants QD-NANOTICS: TEC2011-29120-C05-01, EPIC-NANOTICS: TEC2011-29120-C05-04, PROMESA: ENE2012-37804-C02-02, and Q&C Light: S2009ESP-1503. We also thank the support from the PROMETEO2009/74 project (Generalitat Valenciana). J.C.-F. thanks the Spanish MCI for his FPI grant (No. BES-2006-12300) and J.H. acknowledges to the JAE program for the funds.
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher American Institute of Physics (AIP) es_ES
dc.relation.ispartof Applied Physics Letters es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Close proximity es_ES
dc.subject Emission es_ES
dc.subject Surfaces es_ES
dc.subject Photons es_ES
dc.subject State es_ES
dc.title Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots es_ES
dc.type Artículo es_ES
dc.identifier.doi 10.1063/1.4828352
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MICINN//TEC2011-29120-C05-01/ES/PUNTOS CUANTICOS SEMICONDUCTORES COMO CLAVE PARA FUTURAS TECNOLOGIAS: DE LA NANOFOTONICA A LA NANOPLASMONICA/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MICINN//TEC2011-29120-C05-04/ES/TECNOLOGIAS CLAVE PARA NANOFOTONICA Y NANOPLASMONICA BASADAS EN NANOESTRUCTURAS CUANTICAS EPITAXIALES/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//ENE2012-37804-C02-02/ES/APLICACION DE ESTRUCTURAS CUANTICAS Y OTROS NUEVOS CONCEPTOS A LA MEJORA DE LA EFICIENCIA DE LAS CELULAS SOLARES, SUBPROYECTO 2/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/CAM//S2009%2FESP-1503/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/GVA//PROMETEO09%2F2009%2F074/ES/Nanotecnología y Nanomateriales para la Conversión Solar Fotovoltaica/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MEC//BES-2006-12300/ES/BES-2006-12300/ es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia - Institut Universitari de Telecomunicacions i Aplicacions Multimèdia es_ES
dc.description.bibliographicCitation Canet-Ferrer, J.; Muñoz Matutano, G.; Herranz, J.; Rivas, D.; Alén, B.; González, Y.; Fuster, D.... (2013). Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots. Applied Physics Letters. 103(18). https://doi.org/10.1063/1.4828352 es_ES
dc.description.accrualMethod S es_ES
dc.relation.publisherversion http://dx.doi.org/10.1063/1.4828352 es_ES
dc.type.version info:eu-repo/semantics/publishedVersion es_ES
dc.description.volume 103 es_ES
dc.description.issue 18 es_ES
dc.relation.senia 255063
dc.contributor.funder Ministerio de Ciencia e Innovación
dc.contributor.funder Comunidad de Madrid
dc.contributor.funder Generalitat Valenciana
dc.contributor.funder Ministerio de Educación y Ciencia es_ES
dc.contributor.funder Ministerio de Economía y Competitividad es_ES


Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem