- -

High-efficient electrodes for novel optoelectronic devices in silicon photonics

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

Compartir/Enviar a

Citas

Estadísticas

  • Estadisticas de Uso

High-efficient electrodes for novel optoelectronic devices in silicon photonics

Mostrar el registro sencillo del ítem

Ficheros en el ítem

dc.contributor.advisor Sanchis Kilders, Pablo es_ES
dc.contributor.author Rosa Escutia, Álvaro es_ES
dc.date.accessioned 2018-10-15T06:58:17Z
dc.date.available 2018-10-15T06:58:17Z
dc.date.created 2018-09-11 es_ES
dc.date.issued 2018-10-15 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/110364
dc.description.abstract La fotónica de silicio es actualmente la tecnología mejor posicionada para reemplazar las conexiones electrónicas tanto dentro de los mismos chips, como entre ellos mismos, con el fin de mejorar su rendimiento. Las principales ventajas de la tecnología fotónica de silicio residen en su bajo coste y en su compatibilidad con las actuales técnicas de fabricación desarrolladas por la industria microelectrónica. Dicha compatibilidad permitiría fabricar tanto chips ópticos como chips híbridos que incluyan componentes ópticos y electrónicos. Los moduladores y los conmutadores optoelectrónicos resultan dispositivos fundamentales en aplicaciones de telecomunicaciones. Las principales funciones de los conmutadores y moduladores optoelectrónicos son el enrutamiento y la transmisión de datos de alta velocidad. Esta tesis aborda el diseño y la optimización de la parte eléctrica y óptica (en menor medida) con el fin de optimizar el rendimiento de tales dispositivos desde el punto de vista optoelectrónico. Además, también se tratará la introducción de nuevos materiales compatibles con el silicio y sus procesos de fabricación, como el dióxido de vanadio o el titanato de bario con el fin de demostrar sus propiedades y aplicarlas a los dispositivos optoelectrónicos con el fin de mejorar su rendimiento. es_ES
dc.description.abstract Silicon photonics is nowadays the most promising technology to replace electrical inter- and intra-connections of the chips, increasing the performance in this way. The main advantages of silicon photonics technology lie on its low cost and its compatibility with the fabrications processes of microelectronics industry developed during years which allows the mass production of silicon photonics chips as well hybrid electronic and photonic devices in the same chip. Optoelectronics switches and modulators are key building blocks in photonic devices for tele/datacom applications. Such switches and modulators are devices which provides routing functionalities and the transmission of high speed data respectively. The work of this thesis delves with the design and optimization of silicon based switches and modulators spotlighting the electrical elements. Additionally, the work of this theses deals with the introduction of new silicon-compatible materials as vanadium dioxide and barium titanate, with the aim of demonstrating its functionalities and develop high-performance optoelectronic devices. en_EN
dc.description.abstract La fotònica de silici és actualment la tecnologia millor posicionada per a reemplaçar les connexions electròniques tant dins del propis xips, com entre ells mateixos, amb la finalitat de millorar el seu rendiment. Els principals avantatges de la tecnologia fotònica de silici resideixen en el seu baix cost i en la seua compatibilitat amb les actuals tècniques de fabricació desenvolupades per la indústria microelectrònica. Aquesta compatibilitat permetria fabricar tant xips òptics com a xips híbrids que incloguen components òptics i electrònics. Els moduladors i els commutadors optoelectrònics resulten dispositius fonamentals en aplicacions de telecomunicacions. Les principals funcions dels commutadors i moduladors optoelectrònics són l'encaminament i la transmissió de dades d'alta velocitat. Aquesta tesi aborda el disseny i l'optimització de la part elèctrica i òptica (en menor mesura) amb la finalitat d'optimitzar el rendiment de tals dispositius des del punt de vista optoelectrònic. A més, també es tractarà la introducció de nous materials compatibles amb el silici i els seus processos de fabricació, com el diòxid de vanadi o el titanato de bari amb la finalitat de demostrar les seues propietats i aplicar-les als dispositius optoelectrònics amb la finalitat de millorar el seu rendiment. ca_ES
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher Universitat Politècnica de València es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Modulators es_ES
dc.subject switches es_ES
dc.subject photonics es_ES
dc.subject photonic es_ES
dc.subject electrodes es_ES
dc.subject heaters es_ES
dc.subject slow-wave es_ES
dc.subject mirowave index es_ES
dc.subject barium titanat es_ES
dc.subject vanadium dioxide es_ES
dc.subject.classification TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES es_ES
dc.title High-efficient electrodes for novel optoelectronic devices in silicon photonics es_ES
dc.type Tesis doctoral es_ES
dc.identifier.doi 10.4995/Thesis/10251/110364 es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.description.bibliographicCitation Rosa Escutia, Á. (2018). High-efficient electrodes for novel optoelectronic devices in silicon photonics [Tesis doctoral no publicada]. Universitat Politècnica de València. https://doi.org/10.4995/Thesis/10251/110364 es_ES
dc.description.accrualMethod TESIS es_ES
dc.type.version info:eu-repo/semantics/acceptedVersion es_ES
dc.relation.pasarela TESIS\10129 es_ES


Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem