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Linear Propagation Properties for a 300 nm Film Height Silicon Nitride Photonic Integration Platform in the Optical Telecom C-band

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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Linear Propagation Properties for a 300 nm Film Height Silicon Nitride Photonic Integration Platform in the Optical Telecom C-band

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Nombre: Bru-Orgiles;Mico- ...
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Nombre: IPRSN-2017-IW2A.6.pdf
Tamaño: 451.4Kb
Formato: PDF
Descripción: Versión editorial
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dc.contributor.author Bru-Orgiles, Luis Alberto es_ES
dc.contributor.author Mico-Cabanes, Gloria es_ES
dc.contributor.author Pastor Abellán, Daniel es_ES
dc.contributor.author Pérez-López, Daniel es_ES
dc.contributor.author Doménech, David es_ES
dc.contributor.author Sanchez, Ana M. es_ES
dc.contributor.author Cirera, Josep M. es_ES
dc.contributor.author Sanchez, Javier es_ES
dc.contributor.author Domínguez, Carlos es_ES
dc.contributor.author Muñoz, P. es_ES
dc.date.accessioned 2020-06-01T05:55:37Z
dc.date.available 2020-06-01T05:55:37Z
dc.date.issued 2017-07-27 es_ES
dc.identifier.isbn 978-1-943580-30-9 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/144718
dc.description.abstract [EN] In this paper we report on the characterization of the propagation loss, group index, dispersion, birefringence, and thermo-optic phase shift of Si 3 N 4 strip waveguides with guiding film height of 300 nm fabricated using low-preassure chemical vapour deposition es_ES
dc.description.sponsorship The authors acknowledge financial support through projects TEC2013-42332-P, TEC2015-69787-REDT PIC4TB, TEC2016-80385-P SINXPECT, TEC2014-54449-C3-1-R, GVA PROMETEO 2013/012, EC H2020-ICT-27-2015 CSA 687777 and IP 688519, FEDER UPVOV 10-3E-492 and 08- 3E-008. G.M. acknowledges BES-2014-068523. L.B. acknowledges PTA2015-11309-I es_ES
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher Optical Society of America (OSA) es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject.classification TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES es_ES
dc.title Linear Propagation Properties for a 300 nm Film Height Silicon Nitride Photonic Integration Platform in the Optical Telecom C-band es_ES
dc.type Comunicación en congreso es_ES
dc.type Capítulo de libro es_ES
dc.identifier.doi 10.1364/IPRSN.2017.IW2A.6 es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/EC/H2020/687777/EU/Photonic Integrated Circuits Accessible to Everyone/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//TEC2014-54449-C3-1-R/ES/BIOSENSORES DE LARGA DURACION INTEGRADOS EN TECNOLOGIA PLANAR PARA ANALISIS BIOQUIMICO EN LOC/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/EC/H2020/688519/EU/Silicon Nitride Photonic Integrated Circuit Pilot line for Life Science Applications in the Visible Range/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MICINN//UPOV10-3E-492/ES/Instrumentación para la caracterización de sistemas y componentes en comunicaciones ópticas avanzadas/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MICINN//UPOV08-3E-008/ES/INSTRUMENTACION AVANZADA PARA COMUNICACIONES OPTICAS/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/GVA//PROMETEOII%2F2013%2F012/ES/TECNOLOGIAS DE NUEVA GENERACION EN FOTONICA DE MICROONDAS (NEXT GENERATION MICROWAVE PHOTONIC TECHNOLOGIES)/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//TEC2013-42332-P/ES/PHOTONIC INTEGRATED FILTERS FOR ENHANCED SIGNAL PROCESSING/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//BES-2014-068523/ES/BES-2014-068523/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//TEC2015-69787-REDT/ES/PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS FOR TELECOM & BIO/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//TEC2016-80385-P/ES/SILICON NITRIDE SPECTROMETERS/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//PTA2015-11309-I/ES/PTA2015-11309-I/ es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia - Institut Universitari de Telecomunicacions i Aplicacions Multimèdia es_ES
dc.description.bibliographicCitation Bru-Orgiles, LA.; Mico-Cabanes, G.; Pastor Abellán, D.; Pérez-López, D.; Doménech, D.; Sanchez, AM.; Cirera, JM.... (2017). Linear Propagation Properties for a 300 nm Film Height Silicon Nitride Photonic Integration Platform in the Optical Telecom C-band. Optical Society of America (OSA). 1-3. https://doi.org/10.1364/IPRSN.2017.IW2A.6 es_ES
dc.description.accrualMethod S es_ES
dc.relation.conferencename Advanced Photonics Congress (OSA 2017) es_ES
dc.relation.conferencedate Julio 24-27,2017 es_ES
dc.relation.conferenceplace New Orleans, USA es_ES
dc.relation.publisherversion https:doi.org/10.1364/IPRSN.2017.IW2A.6 es_ES
dc.description.upvformatpinicio 1 es_ES
dc.description.upvformatpfin 3 es_ES
dc.type.version info:eu-repo/semantics/publishedVersion es_ES
dc.relation.pasarela S\344358 es_ES
dc.contributor.funder European Regional Development Fund es_ES
dc.contributor.funder Ministerio de Economía y Competitividad es_ES
dc.contributor.funder Generalitat Valenciana es_ES
dc.contributor.funder Ministerio de Ciencia e Innovación es_ES
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