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Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil

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Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil

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dc.contributor.advisor Sanchis Kilders, Pablo es_ES
dc.contributor.advisor Parra Gómez, Jorge es_ES
dc.contributor.author Urgelles Pérez, Helen es_ES
dc.date.accessioned 2021-04-14T16:12:11Z
dc.date.available 2021-04-14T16:12:11Z
dc.date.created 2020-09-24 es_ES
dc.date.issued 2021-04-14 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/165143
dc.description.abstract [ES] El objetivo del trabajo fin de máster es analizar y demostrar experimentalmente nuevos dispositivos híbridos basados en la combinación de silicio y GST (germanio-antimonio-telurio o GeSbTe) para aplicaciones que requieren una respuesta de conmutación no-volátil. La integración del material GST en estructuras de silicio es actualmente un tema en auge debido a la posibilidad de este material de conmutar de forma no-volátil entre un estado amorfo y un estado cristalino. De esta forma, el índice de refracción asociado a cada uno de los estados del material cambia de forma significativa lo que se traduce en una variación de pérdidas y fase ópticas en longitudes de tan sólo unos pocos micrómetros. En este trabajo, se realizará la caracterización experimental de muestras fabricadas en el instituto de Tecnología Nanofotónica y se estimarán los parámetros del material, los cuales dependen del proceso de fabricación, así como el procedimiento óptimo para controlar el estado del material. En la última fase del proyecto, se diseñará un conmutador con comportamiento no-volátil en base a los resultados obtenidos previamente. es_ES
dc.description.abstract [EN] The goal of this project is to analyze and experimentally demonstrate new hybrid devices based on the combination of silicon and GST (germanium-antimony-tellurium or GeSbTe) for applications that require a non-volatile switching response. The integration of GST in silicon structures is currently a booming topic due to the possibility of switching this material in a non-volatile way between an amorphous state and a crystalline state. By doing so, the refractive index associated with each of the material's states changes significantly, which translates into a variation of optical losses and phases in lengths of just a few micrometers. In this work, the experimental characterization of samples manufactured at the Institute of Nanophotonic Technology will be carried out and the material parameters will be estimated, which depend on the manufacturing process, as well as the optimal procedure to control the state of the material. en_EN
dc.format.extent 40 es_ES
dc.language Español es_ES
dc.publisher Universitat Politècnica de València es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Comunicaciones ópticas es_ES
dc.subject Nanofotónica es_ES
dc.subject Circuitos integrados ópticos es_ES
dc.subject Silicio es_ES
dc.subject Calcogenuros. es_ES
dc.subject Optical communications en_EN
dc.subject Nanophotonics en_EN
dc.subject Optical integrated circuits en_EN
dc.subject Silicon en_EN
dc.subject Chalcogenides. en_EN
dc.subject.classification TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES es_ES
dc.subject.other Máster Universitario en Tecnologías, Sistemas y Redes de Comunicaciones-Màster Universitari en Tecnologies, Sistemes i Xarxes de Comunicacions es_ES
dc.title Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil es_ES
dc.type Tesis de máster es_ES
dc.rights.accessRights Cerrado es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació es_ES
dc.description.bibliographicCitation Urgelles Pérez, H. (2020). Demostración de dispositivos fotónicos basados en silicio/GST con respuesta no-volátil. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/165143 es_ES
dc.description.accrualMethod TFGM es_ES
dc.relation.pasarela TFGM\127059 es_ES


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