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Conmutación fotónica basada en la integración de materiales moleculares de transición de espín en silicio

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Conmutación fotónica basada en la integración de materiales moleculares de transición de espín en silicio

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Vicente Olmo, A. (2021). Conmutación fotónica basada en la integración de materiales moleculares de transición de espín en silicio. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/169469

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Título: Conmutación fotónica basada en la integración de materiales moleculares de transición de espín en silicio
Autor: Vicente Olmo, Alba
Director(es): Sanchis Kilders, Pablo Pinilla Cienfuegos, Elena
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació
Fecha acto/lectura:
2021-07-16
Fecha difusión:
Resumen:
[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es el desarrollo de conmutadores fotónicos basados en la integración de materiales moleculares de transición de espín en silicio. La integración de este tipo de materiales es muy ...[+]
Palabras clave: Comunicaciones ópticas , Nanofotónica , Circuitos integrados ópticos , Silicio , Materiales moleculares , Transición de espín.
Derechos de uso: Cerrado
Editorial:
Universitat Politècnica de València
Titulación: Máster Universitario en Ingeniería de Telecomunicación-Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació
Tipo: Tesis de máster

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