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dc.contributor.advisor | Sanchis Kilders, Pablo | es_ES |
dc.contributor.advisor | Parra Gómez, Jorge | es_ES |
dc.contributor.author | Santomé Valverde, Alejandro | es_ES |
dc.date.accessioned | 2021-10-09T08:40:50Z | |
dc.date.available | 2021-10-09T08:40:50Z | |
dc.date.created | 2021-09-30 | es_ES |
dc.date.issued | 2021-10-09 | es_ES |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10251/174345 | |
dc.description.abstract | [ES] El objetivo del trabajo fin de máster es llevar a cabo el diseño de un acoplador direccional asimétrico en tecnología fotónica de silicio y nitruro de silicio. Dicha configuración ayudaría a mejorar la eficiencia de conmutación en estructuras híbridas formadas por silicio y nuevos materiales. En este trabajo, el diseño se particularizará para estructuras híbridas formadas por silicio y materiales de cambio de fase. La incorporación de guías de nitruro de silicio permite inyectar señales ópticas de alta potencia sin que éstas se vean afectadas por el efecto no-lineal TPA presente en silicio. Dichas señales de alta potencia son necesarias para cambiar las propiedades ópticas de los materiales de cambio de fase y de esta forma conseguir conmutación fotónica. | es_ES |
dc.description.abstract | [EN] The objective of the master's thesis is to carry out the design of an asymmetric directional coupler in silicon and silicon nitride photonic technology. Such a configuration would help to improve the switching efficiency in hybrid structures formed by silicon and new materials. In this work, the design will be particularized for hybrid structures formed by silicon and phase change materials. The incorporation of silicon nitride guides allows to inject high power optical signals without them being affected by the non-linear TPA effect present in silicon. Such high-power signals are necessary to change the optical properties of phase change materials and thus achieve photonic switching. | en_EN |
dc.format.extent | 43 | es_ES |
dc.language | Inglés | es_ES |
dc.publisher | Universitat Politècnica de València | es_ES |
dc.rights | Reserva de todos los derechos | es_ES |
dc.subject | Comunicaciones ópticas | es_ES |
dc.subject | Nanofotónica | es_ES |
dc.subject | Circuitos integrados ópticos | es_ES |
dc.subject | Silicio | es_ES |
dc.subject | Calcogenuros | es_ES |
dc.subject.classification | TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES | es_ES |
dc.subject.other | Máster Universitario en Ingeniería de Telecomunicación-Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació | es_ES |
dc.title | Diseño de un acoplador direccional asimétrico combinando silicio y nitruro de silicio | es_ES |
dc.type | Tesis de máster | es_ES |
dc.rights.accessRights | Abierto | es_ES |
dc.contributor.affiliation | Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions | es_ES |
dc.contributor.affiliation | Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació | es_ES |
dc.description.bibliographicCitation | Santomé Valverde, A. (2021). Diseño de un acoplador direccional asimétrico combinando silicio y nitruro de silicio. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/174345 | es_ES |
dc.description.accrualMethod | TFGM | es_ES |
dc.relation.pasarela | TFGM\144755 | es_ES |