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Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST

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Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST

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Santomé Valverde, A. (2021). Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/174426

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Title: Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST
Author: Santomé Valverde, Alejandro
Director(s): Sanchis Kilders, Pablo Parra Gómez, Jorge
UPV Unit: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació
Read date / Event date:
2021-07-23
Issued date:
Abstract:
[ES] El objetivo del trabajo fin de máster es caracterizar experimentalmente y analizar las prestaciones de conmutación fotónica que es posible alcanzar mediante estructuras guiadas basadas en la combinación de silicio y ...[+]


[EN] The integration of the GST (germanium-antimony-tellurium or GeSbTe) material into silicon structures enables non-volatile switching between two states upon application of an optical excitation. This switching originates ...[+]
Subjects: Comunicaciones ópticas , Nanofotónica , Circuitos integrados ópticos , Silicio , Calcogenuros , Photonic integrated circuits , Silicon , Nanophotonics
Copyrigths: Reserva de todos los derechos
Publisher:
Universitat Politècnica de València
degree: Máster Universitario en Tecnologías, Sistemas y Redes de Comunicaciones-Màster Universitari en Tecnologies, Sistemes i Xarxes de Comunicacions
Type: Tesis de máster

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