- -

Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

Compartir/Enviar a

Citas

Estadísticas

  • Estadisticas de Uso

Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure

Mostrar el registro completo del ítem

Olivares-Sánchez-Mellado, I.; Sanchis Kilders, P. (2020). Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure. IEEE. 1-2. https://doi.org/10.1109/IPC47351.2020.9252351

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/177804

Ficheros en el ítem

Thumbnail
Nombre: Olivares-Sanchez- ...
Tamaño: 292.3Kb
Formato: PDF
Descripción: Versión del Autor.
Abrir/Preview
[Cerrado]
Nombre: ThC2.3.pdf
Tamaño: 925.3Kb
Formato: PDF
Descripción: Versión editorial
Solicitar una copia al autor

Metadatos del ítem

Título: Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure
Autor: Olivares-Sánchez-Mellado, Irene Sanchis Kilders, Pablo
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Tecnología Nanofotónica - Institut Universitari de Tecnologia Nanofotònica
Fecha difusión:
Resumen:
[EN] A slot waveguide structure made of a SiGe/Si/SiGe heterojunction is proposed to enhance Pockels effect in strained silicon. The strain is applied via lattice mismatch between layers, while the slot configuration ...[+]
Palabras clave: Silicon photonics , Strained silicon , Germanium
Derechos de uso: Reserva de todos los derechos
ISBN: 978-1-7281-2028-7
Fuente:
2020 IEEE Photonics Conference (IPC). (issn: 2575-274X )
DOI: 10.1109/IPC47351.2020.9252351
Editorial:
IEEE
Versión del editor: https://doi.org/10.1109/IPC47351.2020.9252351
Título del congreso: IEEE Photonics Conference (IPC 2020), 33th Annual Conference of the IEEE Photonics Society
Lugar del congreso: Online
Fecha congreso: Septiembre 29-Octubre 01,2020
Código del Proyecto:
info:eu-repo/grantAgreement/AEI//TEC2016-76849-C2-2-R//DESARROLLO DE OXIDOS METALICOS DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA APLICACIONES DE CONMUTACION E INTERCONEXION OPTICAS EFICIENTES Y RESPETUOSAS CON EL MEDIO AMBIENTE/
info:eu-repo/grantAgreement///PROMETEO%2F2019%2F123//NANOFOTONICA AVANZADA SOBRE SILICIO (AVANTI)/
Agradecimientos:
Funding from projects TEC2016-76849 (MINECO/FEDER, UE) and PROMETEO/2019/123 (Generalitat Valenciana) is acknowledged. Irene Olivares acknowledges the UPV for funding her research staff training (FPI) grant.
Tipo: Comunicación en congreso Artículo Capítulo de libro

recommendations

 

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro completo del ítem