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Numerical Study of the Coupling of Sub-Terahertz Radiation to n-Channel Strained-Silicon MODFETs

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Numerical Study of the Coupling of Sub-Terahertz Radiation to n-Channel Strained-Silicon MODFETs

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Calvo-Gallego, J.; Delgado-Notario, JA.; Velázquez-Pérez, JE.; Ferrando Bataller, M.; Fobelets, K.; El Moussaouy, A.; Meziani, YM. (2021). Numerical Study of the Coupling of Sub-Terahertz Radiation to n-Channel Strained-Silicon MODFETs. Sensors. 21(3):1-11. https://doi.org/10.3390/s21030688

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/183530

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Title: Numerical Study of the Coupling of Sub-Terahertz Radiation to n-Channel Strained-Silicon MODFETs
Author: Calvo-Gallego, Jaime Delgado-Notario, Juan A. Velázquez-Pérez, Jesús E. Ferrando Bataller, Miguel Fobelets, Kristel El Moussaouy, Abdelaziz Meziani, Yahya M.
UPV Unit: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Issued date:
Abstract:
[EN] This paper reports on a study of the response of a T-gate strained-Si MODFETs (modulation-doped field-effect transistor) under continuous-wave sub-THz excitation. The sub-THz response was measured using a two-tones ...[+]
Subjects: Terahertz , SiGe , Silicon , Strained-Si , MODFET , Electromagnetic simulation
Copyrigths: Reconocimiento (by)
Source:
Sensors. (eissn: 1424-8220 )
DOI: 10.3390/s21030688
Publisher:
MDPI AG
Publisher version: https://doi.org/10.3390/s21030688
Project ID:
info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2019-107885GB-C32/ES/ANTENAS X-WAVE MULTIMODO Y MULTIHAZ RECONFIGURABLES PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES Y SENSORES/
...[+]
info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/PID2019-107885GB-C32/ES/ANTENAS X-WAVE MULTIMODO Y MULTIHAZ RECONFIGURABLES PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES Y SENSORES/
info:eu-repo/grantAgreement/JCYL//SA121P20/
info:eu-repo/grantAgreement/AEI/Plan Estatal de Investigación Científica y Técnica y de Innovación 2017-2020/RTI2018-097180-B-I00/ES/NUEVA GENERACION DE TRANSISTORES FET PARA TECNOLOGIA DE THZ/
info:eu-repo/grantAgreement/MICINN//TEC2016-78028-C3-3-P//Diseño de antenas multihaz de alta ganancia para los sistemas de comunicaciones de nueva generación/
info:eu-repo/grantAgreement/AEI//RTI2018-097180-B-I00//NUEVA GENERACION DE TRANSISTORES FET PARA TECNOLOGIA DE THZ/
info:eu-repo/grantAgreement/JCYL//SA256P18/
info:eu-repo/grantAgreement/GVA//AICO%2F2019%2F018/
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Thanks:
This research was funded by the Ministerio de Ciencia, Investigacion y Universidades of Spain (Spanish Ministry of Science, Innovation, and Universities) and FEDER (ERDF: European Regional Development Fund) under the ...[+]
Type: Artículo

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