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Desarrollo de un conmutador fotónico basado en tecnología Si/GST y una estructura de acoplador direccional.

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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Desarrollo de un conmutador fotónico basado en tecnología Si/GST y una estructura de acoplador direccional.

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Sánchez Pla, A. (2022). Desarrollo de un conmutador fotónico basado en tecnología Si/GST y una estructura de acoplador direccional. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/186972

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Título: Desarrollo de un conmutador fotónico basado en tecnología Si/GST y una estructura de acoplador direccional.
Otro titulo: Development of a photonic switch based on Si/GST technology and a directional coupler structure.
Desenvolupament d'un commutador fotònic basat en tecnologia Si/GST i una estructura d'acoblador direccional.
Autor: Sánchez Pla, Adrián
Director(es): Sanchis Kilders, Pablo
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació
Fecha acto/lectura:
2022-07-18
Fecha difusión:
Resumen:
[ES] El objetivo principal de este trabajo es el desarrollo de un dispositivo de conmutación fotónico basado en tecnología híbrida GST/Si. El material GST es un material de cambio de fase cuyas propiedades ópticas pueden ...[+]


[EN] Develop a photonic commutation device using hybrid GST/Si technology is the main purpose of this work. GST is a phase change material with optical properties and non-volatile that are susceptible to suffer significative ...[+]
Palabras clave: Fotónica integrada , Nanofotónica , Circuitos integrados ópticos , Silicio , Calcogenuros.
Derechos de uso: Cerrado
Editorial:
Universitat Politècnica de València
Titulación: Máster Universitario en Ingeniería de Telecomunicación-Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació
Tipo: Tesis de máster

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