Caracterización de fotodiodos de Germanio en fotónica de Silicio

Abstract

[ES] Los fotodiodos integrados son componentes fundamentales en cualquier sistema actual de comunicaciones ópticas, ya que son los encargados de transformar la señal del dominio óptico al dominio eléctrico. La fotónica de Silicio se ha posicionado actualmente como la plataforma más prometedora para implementar dispositivos fotónicos de bajo coste, gracias a su compatibilidad con procesos de fabricación CMOS. En este trabajo se estudian los fotodiodos de Germanio implementados en tecnología de fotónica de Silicio, posteriormente se realiza las caracterización experimental de distintos fotodiodos implementados en esta tecnología.

[EN] Integrated photodiodes are fundamental components in any current optical communications system, since they are responsible for transforming the signal from the optical domain to the electrical domain. Silicon photonics has currently positioned itself as the most promising platform to implement low-cost photonic devices, thanks to its compatibility with CMOS fabrication processes. In this work, the Germanium photodiodes implemented in Silicon photonics technology are studied, later the experimental characterization of different photodiodes implemented in this technology is carried out.