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Sinusia Lozano, M.; Gómez-Hernández, VJ. (2023). Epitaxial growth of crystal phase quantum dots in III-V semiconductor nanowires. Nanoscale Advances. 5(7):1890-1909. https://doi.org/10.1039/D2NA00956K
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/205209
Título: | Epitaxial growth of crystal phase quantum dots in III-V semiconductor nanowires | |
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Entidad UPV: |
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Resumen: |
[EN] Crystal phase quantum dots (QDs) are formed during the axial growth of III¿V semiconductor nanowires (NWs) by stacking different crystal phases of the same material. In III¿V semiconductor NWs, both zinc blende (ZB) ...[+]
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Palabras clave: |
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Derechos de uso: | Reconocimiento (by) | |
Fuente: |
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DOI: |
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Versión del editor: | https://doi.org/10.1039/d2na00956k | |
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