- -

Estudio térmico y de pérdidas de potencia de diodos SiC (Silicon Carbide) para su incorporación en cargadores de vehículos híbridos y eléctricos.

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

Compartir/Enviar a

Citas

Estadísticas

  • Estadisticas de Uso

Estudio térmico y de pérdidas de potencia de diodos SiC (Silicon Carbide) para su incorporación en cargadores de vehículos híbridos y eléctricos.

Mostrar el registro sencillo del ítem

Ficheros en el ítem

dc.contributor.advisor Jiménez Jiménez, Yolanda es_ES
dc.contributor.advisor Fernández Molina, Juan Luis es_ES
dc.contributor.author Gutiérrez Juana, Víctor es_ES
dc.date.accessioned 2024-09-26T16:07:34Z
dc.date.available 2024-09-26T16:07:34Z
dc.date.created 2024-07-08 es_ES
dc.date.issued 2024-09-26 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/208811
dc.description.abstract [ES] El propósito de este TFG es realizar un estudio de las pérdidas de potencia y de las características térmicas de diodos Silicon Carbide (SiC) para su incorporación a un motor de un vehículo híbrido. En particular, el objetivo final es sustituir el diodo convencional de silicio y diseñar un circuito tanque resonante que incorpore un diodo SiC. El trabajo incluirá una comparativa entre las prestaciones de los diferentes modelos de SiC disponibles en el mercado y las prestaciones de los diodos convencionales de silicio. El estudio se realizará con diferentes valores de la tensión de las baterías del vehículo. Entre las prestaciones a evaluar se incluirá la tensión y corriente que soporta, así como el tipo de encapsulado. Una vez realizada una selección de diodos, se importarán los modelos Spice proporcionados por los fabricantes y se crearán nuevos modelos para aquellos diodos en los que el fabricante no lo proporcione. Los modelos se incluirán en los esquemáticos correspondientes para llevar a cabo las simulaciones. Dependiendo del tiempo disponible, se valorará la posibilidad de adquirir los diodos seleccionados para testearlos en condiciones reales. es_ES
dc.description.abstract [EN] The purpose of this TFG is to provide an analysis of power losses and thermal characteristics of Silicon Carbide Diode (SiC) for its integration in a hybrid vehicle engine. Particularly, the final objective is to replace conventional Si diodes by SiC and to design a resonant tank circuit including SiC diode. This TFG will provide a comparative study between commercial SiC diodes performance and that of conventional ones. The study will be performed for several vehicle battery voltages and will include current, voltage and packaging comparison. Next, Spice models of the commercially available diodes will be downloaded, and new models will be developed for those cases in which it is not provided by manufacturer. Spice models will be included in the corresponding schematics for performing simulations both for power and thermal analysis. Depending on available time, performance of the selected diodes will be tested in real conditions. en_EN
dc.format.extent 57 es_ES
dc.language Español es_ES
dc.publisher Universitat Politècnica de València es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Diodos es_ES
dc.subject Silicon Carbide (SiC) es_ES
dc.subject Vehículo híbrido es_ES
dc.subject Estudio térmico es_ES
dc.subject Pérdidas es_ES
dc.subject Modelo Spice. es_ES
dc.subject Diodes en_EN
dc.subject Hybrid vehicle en_EN
dc.subject Thermal study en_EN
dc.subject Losses en_EN
dc.subject Spice model. en_EN
dc.subject.classification TECNOLOGIA ELECTRONICA es_ES
dc.subject.other Grado en Ingeniería de Tecnologías y Servicios de Telecomunicación-Grau en Enginyeria de Tecnologies i Serveis de Telecomunicació es_ES
dc.title Estudio térmico y de pérdidas de potencia de diodos SiC (Silicon Carbide) para su incorporación en cargadores de vehículos híbridos y eléctricos. es_ES
dc.title.alternative Thermal and power losses analysis of Silicon Carbide (SiC) diodes for their integration in chargers of hybrid and electric vehicles engines. es_ES
dc.title.alternative Estudi tèrmic i de pèrdues de potència de díodes Sic (Silicon Carbide) per a la seua incorporació en carregadors de vehicles híbrids i elèctrics. es_ES
dc.type Proyecto/Trabajo fin de carrera/grado es_ES
dc.rights.accessRights Cerrado es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Ingeniería Electrónica - Departament d'Enginyeria Electrònica es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació es_ES
dc.description.bibliographicCitation Gutiérrez Juana, V. (2024). Estudio térmico y de pérdidas de potencia de diodos SiC (Silicon Carbide) para su incorporación en cargadores de vehículos híbridos y eléctricos. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/208811 es_ES
dc.description.accrualMethod TFGM es_ES
dc.relation.pasarela TFGM\160016 es_ES


Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem