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Crystal Chemistry of CdIn2S4, MgIn2S4, and MnIn2S4 thiospinels under high pressure

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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Crystal Chemistry of CdIn2S4, MgIn2S4, and MnIn2S4 thiospinels under high pressure

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Santamaría Pérez, D.; Amboage, M.; Manjón Herrera, FJ.; Errandonea, D.; Muñoz, A.; Rodríguez Hernández, P.; Mújica, A.... (2012). Crystal Chemistry of CdIn2S4, MgIn2S4, and MnIn2S4 thiospinels under high pressure. Journal of Physical Chemistry C. 116(26):14078-14087. doi:10.1021/jp303164k.

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/43410

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Título: Crystal Chemistry of CdIn2S4, MgIn2S4, and MnIn2S4 thiospinels under high pressure
Autor:
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Instituto de Diseño para la Fabricación y Producción Automatizada - Institut de Disseny per a la Fabricació i Producció Automatitzada
Universitat Politècnica de València. Departamento de Física Aplicada - Departament de Física Aplicada
Fecha difusión:
Resumen:
We report X-ray diffraction measurements in CdIn2S4, MgIn2S4, and MnIn2S4 thiospinels at room temperature and high pressures. The pressure dependences of the structural parameters have been determined and compared to those ...[+]
Palabras clave: Induced phase-transitions , Total-Energy calculations , X-ray diffraction , Initio molecular-dynamics , Augmented-wave method , Raman-Scattering , Cation distribution , Basis-set , Semiconductors
Derechos de uso: Cerrado
Fuente:
Journal of Physical Chemistry C. (issn: 1932-7447 )
DOI: 10.1021/jp303164k
Editorial:
American Chemical Society
Versión del editor: http://dx.doi.org/10.1021/jp303164k
Patrocinador:
Spanish Consolider Ingenio 2010 Program CDS2007-00045
Spanish MICCIN CTQ2009-I4596-C02-01 MAT2010-21270-C04-01/03/04
Comunidad de Madrid
European Social Fund S2009/PPQ-1551 4161893
Vicerrectorado de Investigacion de la Universitat Politecnica de Valencia UPV2011-0914 PAID-05-11 UPV2011-0966 PAID-06-11
Tipo: Artículo

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