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The effect of high-In content capping layers on low-density bimodal-sized InAs quantum dots

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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The effect of high-In content capping layers on low-density bimodal-sized InAs quantum dots

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Trevisi, G.; Suárez, I.; Seravalli, L.; Rivas, D.; Frigeri, P.; Muñoz Matutano, G.; Grillo, V.... (2013). The effect of high-In content capping layers on low-density bimodal-sized InAs quantum dots. Journal of Applied Physics. 113(19):1943061-1943068. doi:10.1063/1.4805351.

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/44784

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Título: The effect of high-In content capping layers on low-density bimodal-sized InAs quantum dots
Autor:
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Fecha difusión:
Resumen:
The structural and morphological features of bimodal-sized InAs/(In) GaAs quantum dots with density in the low 10(9) cm(-2) range were analyzed with transmission electron microscopy and atomic force microscopy and were ...[+]
Palabras clave: Carrier transfer , Mu-m , Well , Photoluminescence , Luminescence , Evolution , Emission , Dynamics , Islands , Escape
Derechos de uso: Reserva de todos los derechos
Fuente:
Journal of Applied Physics. (issn: 0021-8979 )
DOI: 10.1063/1.4805351
Editorial:
American Institute of Physics (AIP)
Versión del editor: http://dx.doi.org/10.1063/1.4805351
Patrocinador:
Spanish MCINN TEC2011-29120-C05-01
Spanish MCINN PROMETEO/2009/074
Generalitat Valenciana TEC2011-29120-C05-01
Generalitat Valenciana PROMETEO/2009/074
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Tipo: Artículo

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