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Luminescence properties of Ce3+ and Tb3+ co-doped SiOxNy thin films: Prospects for color tunability in silicon-based hosts

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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Luminescence properties of Ce3+ and Tb3+ co-doped SiOxNy thin films: Prospects for color tunability in silicon-based hosts

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Ramirez, JM.; Ruiz-Caridad, A.; Wojcik, J.; Gutierrez Campo, AM.; Estrade, S.; Peiro, F.; Sanchis Kilders, P.... (2016). Luminescence properties of Ce3+ and Tb3+ co-doped SiOxNy thin films: Prospects for color tunability in silicon-based hosts. Journal of Applied Physics. 119(11):113108-1-113108-14. doi:10.1063/1.4944433.

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/79347

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Título: Luminescence properties of Ce3+ and Tb3+ co-doped SiOxNy thin films: Prospects for color tunability in silicon-based hosts
Autor:
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació
Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Tecnología Nanofotónica - Institut Universitari de Tecnologia Nanofotònica
Fecha difusión:
Resumen:
In this work, the role of the nitrogen content, the annealing temperature, and the sample morphology on the luminescence properties of Ce3+ and Tb3+ co-doped SiOxNy thin films has been investigated. An increasing nitrogen ...[+]
Derechos de uso: Reserva de todos los derechos
Fuente:
Journal of Applied Physics. (issn: 0021-8979 )
DOI: 10.1063/1.4944433
Editorial:
AIP Publishing
Versión del editor: http://dx.doi.org/10.1063/1.4944433
Patrocinador:
Spanish Ministry of Science and Innovation TEC2012-38540-C02-01
Natural Sciences and Engineering Research Council (NSERC)
Tipo: Artículo

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