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RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia
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|---|---|
| High frequency and magnetoelectrical properties of magnetoresistive memory element based on FeCoNi/TiN/FeCoNi film | 130 |
Visitas al mes
| enero 2024 | febrero 2024 | marzo 2024 | abril 2024 | mayo 2024 | junio 2024 | julio 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| High frequency and magnetoelectrical properties of magnetoresistive memory element based on FeCoNi/TiN/FeCoNi film | 3 | 0 | 4 | 1 | 1 | 2 | 0 |
Visitas al fichero
| Visualizaciones | |
|---|---|
| BSECVmemory2000.pdf | 124 |
Países con más visualizaciones
| Visualizaciones | |
|---|---|
| Estados Unidos | 59 |
| España | 20 |
| China | 15 |
| Francia | 13 |
| Alemania | 6 |
| Irlanda | 6 |
| India | 3 |
| Vietnam | 3 |
| Suecia | 2 |
| Canadá | 1 |
Ciudades con más visualizaciones
| Visualizaciones | |
|---|---|
| Ashburn | 24 |
| Valencia | 15 |
| Grenoble | 11 |
| Dublin | 6 |
| San Mateo | 5 |
| Alameda | 4 |
| Balingen | 3 |
| Hanoi | 3 |
| Nanjing | 3 |
| Zhengzhou | 3 |
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