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Memory function on dielectric relaxation

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Memory function on dielectric relaxation

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dc.contributor.author Díaz-Calleja, R. es_ES
dc.contributor.author García Bernabé, Abel es_ES
dc.contributor.author Sanchis Sánchez, María Jesús es_ES
dc.contributor.author del Castillo, L.F. es_ES
dc.date.accessioned 2018-11-26T05:33:08Z
dc.date.available 2018-11-26T05:33:08Z
dc.date.issued 2000 es_ES
dc.identifier.issn 0021-9606 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/113042
dc.description.abstract [EN] The second-order memory function ~SOMF! for the dicyclohexylmetyl-2metyl succinate is obtained by using simple numerical manipulation of the experimental dielectric data. According to the prescription given in a previous paper @J. Chem. Phys. 109, 9057 ~1998!#, the frequency behavior of the real and imaginary parts of the SOMF is discussed in terms of the Havriliak-Negami equation of the dielectric function, and together with the three-variable model describing the evolution of the torque-autocorrelation function. Furthermore, in this paper we present the temperature dependence of the parameters, which characterize the SOMF behavior for two ester substances. © 2000 American Institute of Physics. @S0021-9606~00!51048-4# es_ES
dc.description.sponsorship This work was supported in part by the UPV. One of the authors L. F del C. wishes to thank DGAPA-UNAM for support from Grant No. IN119200. Authors of the UPV also thank the Science and Technology Office of Spain for Grant No. MAT 1999-1127-C04-03. es_ES
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher American Institute of Physics es_ES
dc.relation.ispartof The Journal of Chemical Physics es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Dielectrics es_ES
dc.subject Dielectric function es_ES
dc.subject Real functions es_ES
dc.subject Dielectric relaxation es_ES
dc.subject.classification MAQUINAS Y MOTORES TERMICOS es_ES
dc.subject.classification TERMODINAMICA APLICADA (UPV) es_ES
dc.title Memory function on dielectric relaxation es_ES
dc.type Artículo es_ES
dc.identifier.doi 10.1063/1.1326913 es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MECD//MAT1999-1127-C04-03/ES/DESARROLLO Y PROPIEDADES DE NUEVOS MATERIALES BARRERA CON USO POTENCIAL EN SEPARACION DE GASES, IONES/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/UNAM//IN119200/ es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Termodinámica Aplicada - Departament de Termodinàmica Aplicada es_ES
dc.description.bibliographicCitation Díaz-Calleja, R.; García Bernabé, A.; Sanchis Sánchez, MJ.; Del Castillo, L. (2000). Memory function on dielectric relaxation. The Journal of Chemical Physics. 113(24):11258-11263. https://doi.org/10.1063/1.1326913 es_ES
dc.description.accrualMethod S es_ES
dc.relation.publisherversion https://doi.org/10.1063/1.1326913 es_ES
dc.description.upvformatpinicio 11258 es_ES
dc.description.upvformatpfin 11263 es_ES
dc.type.version info:eu-repo/semantics/publishedVersion es_ES
dc.description.volume 113 es_ES
dc.description.issue 24 es_ES
dc.relation.pasarela S\17521 es_ES
dc.contributor.funder Universitat Politècnica de València es_ES
dc.contributor.funder Universidad Nacional Autónoma de México es_ES
dc.contributor.funder Ministerio de Educación, Cultura y Deporte es_ES


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