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Impact of the external resistance on the switching power consumption in VO2 nano gap junctions

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Impact of the external resistance on the switching power consumption in VO2 nano gap junctions

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Nombre: Sánchez;Rosa;Griol ...
Tamaño: 971.4Kb
Formato: PDF
Descripción: Versión editorial
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dc.contributor.author Sánchez Diana, Luis David es_ES
dc.contributor.author Rosa Escutia, Álvaro es_ES
dc.contributor.author Griol Barres, Amadeu es_ES
dc.contributor.author Gutierrez Campo, Ana Maria es_ES
dc.contributor.author Homm, Pia es_ES
dc.contributor.author Van Bilzen, Bart es_ES
dc.contributor.author Menghini, Mariela es_ES
dc.contributor.author Locquet, Jean-Pierre es_ES
dc.contributor.author Sanchis Kilders, Pablo es_ES
dc.date.accessioned 2019-12-15T21:00:59Z
dc.date.available 2019-12-15T21:00:59Z
dc.date.issued 2017 es_ES
dc.identifier.issn 0003-6951 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/132995
dc.description.abstract [EN] The influence of an external resistance on the performance of VO2 nanogap junctions is analyzed and experimentally characterized. The current-voltage response shows the reversible metal-insulator transition typical of VO2 based devices. When reaching the metallic state, the current through the VO2 junction is abruptly increased, which may result in electrical contact damage. Therefore, an external resistance in series with the VO2 junction is usually employed to limit the maximum current through the device. Our results indicate that the external resistance plays a key role in the switching power consumption showing an optimum value, which depends on the dimensions of the VO2 junction. In such a way, power consumption reductions up to 90% have been demonstrated by selecting the optimum external resistance value. es_ES
dc.description.sponsorship This work was supported by the European Commission under Project No. FP7-ICT-2013-11-619456 SITOGA. Financial support from TEC2016-76849-C2-2-R and NANOMET Conselleria de Educacio, Cultura i Esport-PROMETEOII/2014 034 is also acknowledged. P.H. acknowledges support from Becas Chile-CONICYT. es_ES
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher American Institute of Physics es_ES
dc.relation.ispartof Applied Physics Letters es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Vanadium dioxide es_ES
dc.subject Transition-metal oxide es_ES
dc.subject Switches es_ES
dc.subject Power consumption es_ES
dc.subject Photonics es_ES
dc.subject Optic es_ES
dc.subject.classification TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES es_ES
dc.title Impact of the external resistance on the switching power consumption in VO2 nano gap junctions es_ES
dc.type Artículo es_ES
dc.identifier.doi 10.1063/1.4994326 es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/619456/EU/Silicon CMOS compatible transition metal oxide technology for boosting highly integrated photonic devices with disruptive performance/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/MINECO//TEC2016-76849-C2-2-R/ES/DESARROLLO DE OXIDOS METALICOS DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA APLICACIONES DE CONMUTACION E INTERCONEXION OPTICAS EFICIENTES Y RESPETUOSAS CON EL MEDIO AMBIENTE/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/GVA//PROMETEOII%2F2014%2F034/ES/Nanomet Plus/ es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia - Institut Universitari de Telecomunicacions i Aplicacions Multimèdia es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Tecnología Nanofotónica - Institut Universitari de Tecnologia Nanofotònica es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.description.bibliographicCitation Sánchez Diana, LD.; Rosa Escutia, Á.; Griol Barres, A.; Gutierrez Campo, AM.; Homm, P.; Van Bilzen, B.; Menghini, M.... (2017). Impact of the external resistance on the switching power consumption in VO2 nano gap junctions. Applied Physics Letters. 111(3):1-4. https://doi.org/10.1063/1.4994326 es_ES
dc.description.accrualMethod S es_ES
dc.relation.publisherversion https://doi.org/10.1063/1.4994326 es_ES
dc.description.upvformatpinicio 1 es_ES
dc.description.upvformatpfin 4 es_ES
dc.type.version info:eu-repo/semantics/publishedVersion es_ES
dc.description.volume 111 es_ES
dc.description.issue 3 es_ES
dc.relation.pasarela S\349611 es_ES
dc.contributor.funder Generalitat Valenciana es_ES
dc.contributor.funder European Commission es_ES
dc.contributor.funder Ministerio de Economía y Competitividad es_ES


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