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Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST

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Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST

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dc.contributor.advisor Sanchis Kilders, Pablo es_ES
dc.contributor.advisor Parra Gómez, Jorge es_ES
dc.contributor.author Santomé Valverde, Alejandro es_ES
dc.date.accessioned 2021-10-11T13:34:02Z
dc.date.available 2021-10-11T13:34:02Z
dc.date.created 2021-07-23 es_ES
dc.date.issued 2021-10-11 es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/174426
dc.description.abstract [ES] El objetivo del trabajo fin de máster es caracterizar experimentalmente y analizar las prestaciones de conmutación fotónica que es posible alcanzar mediante estructuras guiadas basadas en la combinación de silicio y GST (germanio-antimonio-telurio o GeSbTe). La integración del material GST en estructuras de silicio permite la conmutación de forma no-volátil entre dos estados al aplicar un determinado tipo de excitación. Esta conmutación se origina debido a la transición del material GST entre un estado amorfo y cristalino el cual permite variar la absorción y fase de la señal óptica que se propaga a través de guías híbridas de Si/GST. Sin embargo, la forma de excitación necesaria para conmutar el material no es sencilla y suelen surgir discrepancias con respecto al comportamiento esperado en simulación. Todos estos temas serán tratado y analizados en detalle en este trabajo. es_ES
dc.description.abstract [EN] The integration of the GST (germanium-antimony-tellurium or GeSbTe) material into silicon structures enables non-volatile switching between two states upon application of an optical excitation. This switching originates from the transition of the GST material between an amorphous and crystalline state which allows varying the absorption and phase of the optical signal propagating through hybrid Si/GST guides. The aim of this master's thesis is to experimentally demonstrate and analyse the photonic switching performance achievable by guided structures based on the combination of silicon and GST. To this end, silicon waveguides and ring resonators with GST are fabricated and characterized. Our results show high performance in ultra-compact footprints. Both large extinction ratios and phase shifts of around 5 dB/¿m and ¿/2 rad/¿m, respectively, have been measured. On the other hand, on-chip all-optical switching is achieved by using nanosecond optical pulses and switching energies as low as sub-nanojoules. Our devices may find applications in a wide range of fields, such as optical memories, ultra-low power switching or neuromorphic computing. en_EN
dc.format.extent 40 es_ES
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher Universitat Politècnica de València es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Comunicaciones ópticas es_ES
dc.subject Nanofotónica es_ES
dc.subject Circuitos integrados ópticos es_ES
dc.subject Silicio es_ES
dc.subject Calcogenuros es_ES
dc.subject Photonic integrated circuits en_EN
dc.subject Silicon en_EN
dc.subject Nanophotonics en_EN
dc.subject.classification TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES es_ES
dc.subject.other Máster Universitario en Tecnologías, Sistemas y Redes de Comunicaciones-Màster Universitari en Tecnologies, Sistemes i Xarxes de Comunicacions es_ES
dc.title Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST es_ES
dc.type Tesis de máster es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació es_ES
dc.description.bibliographicCitation Santomé Valverde, A. (2021). Análisis de conmutación fotónica mediante tecnología de Si/GST. Universitat Politècnica de València. http://hdl.handle.net/10251/174426 es_ES
dc.description.accrualMethod TFGM es_ES
dc.relation.pasarela TFGM\144756 es_ES


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