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Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure

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Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure

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dc.contributor.author Olivares-Sánchez-Mellado, Irene es_ES
dc.contributor.author Sanchis Kilders, Pablo es_ES
dc.date.accessioned 2021-12-01T09:44:46Z
dc.date.available 2021-12-01T09:44:46Z
dc.date.issued 2020-10-01 es_ES
dc.identifier.isbn 978-1-7281-2028-7 es_ES
dc.identifier.issn 2575-274X es_ES
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10251/177804
dc.description.abstract [EN] A slot waveguide structure made of a SiGe/Si/SiGe heterojunction is proposed to enhance Pockels effect in strained silicon. The strain is applied via lattice mismatch between layers, while the slot configuration optimizes the overlap between the optical and electric field inside the strained silicon. es_ES
dc.description.sponsorship Funding from projects TEC2016-76849 (MINECO/FEDER, UE) and PROMETEO/2019/123 (Generalitat Valenciana) is acknowledged. Irene Olivares acknowledges the UPV for funding her research staff training (FPI) grant. es_ES
dc.language Inglés es_ES
dc.publisher IEEE es_ES
dc.relation.ispartof 2020 IEEE Photonics Conference (IPC) es_ES
dc.rights Reserva de todos los derechos es_ES
dc.subject Silicon photonics es_ES
dc.subject Strained silicon es_ES
dc.subject Germanium es_ES
dc.subject.classification TEORIA DE LA SEÑAL Y COMUNICACIONES es_ES
dc.title Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure es_ES
dc.type Comunicación en congreso es_ES
dc.type Artículo es_ES
dc.type Capítulo de libro es_ES
dc.identifier.doi 10.1109/IPC47351.2020.9252351 es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement/AEI//TEC2016-76849-C2-2-R//DESARROLLO DE OXIDOS METALICOS DE TRANSICION CON TECNOLOGIA DE SILICIO PARA APLICACIONES DE CONMUTACION E INTERCONEXION OPTICAS EFICIENTES Y RESPETUOSAS CON EL MEDIO AMBIENTE/ es_ES
dc.relation.projectID info:eu-repo/grantAgreement///PROMETEO%2F2019%2F123//NANOFOTONICA AVANZADA SOBRE SILICIO (AVANTI)/ es_ES
dc.rights.accessRights Abierto es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions es_ES
dc.contributor.affiliation Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Tecnología Nanofotónica - Institut Universitari de Tecnologia Nanofotònica es_ES
dc.description.bibliographicCitation Olivares-Sánchez-Mellado, I.; Sanchis Kilders, P. (2020). Enhanced Pockels effect in strained silicon by means of a SiGe/Si/SiGe slot structure. IEEE. 1-2. https://doi.org/10.1109/IPC47351.2020.9252351 es_ES
dc.description.accrualMethod S es_ES
dc.relation.conferencename IEEE Photonics Conference (IPC 2020), 33th Annual Conference of the IEEE Photonics Society es_ES
dc.relation.conferencedate Septiembre 29-Octubre 01,2020 es_ES
dc.relation.conferenceplace Online es_ES
dc.relation.publisherversion https://doi.org/10.1109/IPC47351.2020.9252351 es_ES
dc.description.upvformatpinicio 1 es_ES
dc.description.upvformatpfin 2 es_ES
dc.type.version info:eu-repo/semantics/publishedVersion es_ES
dc.relation.pasarela S\421855 es_ES
dc.contributor.funder European Regional Development Fund es_ES


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