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Minin, IV.; Minin, OV.; Salvador-Sánchez, J.; Delgado-Notario, JA.; Calvo-Gallego, J.; Ferrando Bataller, M.; Fobelets, K.... (2021). Responsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect. Optics Letters. 46(13):3061-3064. https://doi.org/10.1364/OL.431175
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/185437
Título: | Responsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect | |
Autor: | Minin, Igor Vladilenovich Minin, Oleg Vladilenovich Salvador-Sánchez, Juan Delgado-Notario, Juan Antonio Calvo-Gallego, Jaime Fobelets, Kristel Velázquez-Pérez, Jesús Enrique Meziani, Yahya Moubarak | |
Entidad UPV: |
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Fecha difusión: |
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Resumen: |
[EN] We report on the enhancement of responsivity by more than one order of magnitude of a silicon-based sub-terahertz detector when a mesoscopic dielectric particle was used to localize incident radiation to a sub-wavelength ...[+]
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Derechos de uso: | Reserva de todos los derechos | |
Fuente: |
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DOI: |
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Editorial: |
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Versión del editor: | https://doi.org/10.1364/OL.431175 | |
Código del Proyecto: |
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Agradecimientos: |
Tomsk Polytechnic University Development Program; Ministerio de Ciencia, Innovacion y Universidades (PID2019-107885GB-C32, RTI2018-097180-B-100, TEC2016-78028-C3-3-P); Junta de Castilla y Leon (SA121P20, SA256P18); Conselleria ...[+]
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Tipo: |
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