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RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia
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| Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide | 194 |
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| Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide | 3 | 6 | 2 | 52 | 9 | 6 | 7 |
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|---|---|
| Marti - Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide.pdf | 613 |
| 1 |
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| China | 56 |
| España | 42 |
| Estados Unidos | 39 |
| Irlanda | 12 |
| Francia | 6 |
| Canadá | 5 |
| Polonia | 4 |
| Alemania | 3 |
| Argentina | 2 |
| Finlandia | 2 |
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|---|---|
| Fuzhou | 14 |
| Ugena | 12 |
| Houston | 11 |
| Jinhua | 9 |
| Fuan | 8 |
| Nanjing | 8 |
| Shenyang | 8 |
| Alameda | 6 |
| Llanera | 6 |
| Ashburn | 5 |
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