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RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia
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| Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide | 224 |
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| Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide | 6 | 9 | 7 | 11 | 4 | 0 | 6 |
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|---|---|
| Marti - Analysis of simulation methods of ion implantation profiles in silicon carbide.pdf | 717 |
| 1 |
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| China | 56 |
| Estados Unidos | 53 |
| España | 47 |
| Irlanda | 12 |
| Japón | 8 |
| Francia | 6 |
| Polonia | 6 |
| Canadá | 5 |
| Alemania | 3 |
| Reino Unido | 3 |
Ciudades con más visualizaciones
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|---|---|
| Fuzhou | 14 |
| Ugena | 14 |
| Houston | 11 |
| Jinhua | 9 |
| Fuan | 8 |
| Nanjing | 8 |
| Shenyang | 8 |
| Tokyo | 8 |
| Alameda | 6 |
| Llanera | 6 |
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