Backscattering en microanillos de silicio

Abstract

[ES] En este trabajo presentamos un técnica experimental para caracterizar el backscattering en microanillos resonantes de silicio, junto con un modelo analítico capaz de reproducir los resultados experimentales. El modelo permite extraer todos los parámetros relevantes de un anillo de tipo add-drop: las pérdidas, los dos coeficientes de acoplo a los buses de entrada/salida y el coeficiente de backscattering. También demostramos que el backscattering modifica drásticamente las forma de las resonancias y hace que resonancias consecutivas tengan formas muy distintas.

[EN] We present an experimental technique to characterize backscattering in silicon microring resonators, together with a simple analytical model that reproduces the experimental results. The model can extract all key parameters of an add-drop-type resonator, which are the loss, both coupling coefficients and backscattering. We show that the backscattering effect strongly affects the resonance shape, and that consecutive resonances of the same ring can have very different parameters.