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Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots

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Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots

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Canet-Ferrer, J.; Muñoz Matutano, G.; Herranz, J.; Rivas, D.; Alén, B.; González, Y.; Fuster, D.... (2013). Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots. Applied Physics Letters. 103(18). doi:10.1063/1.4828352

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/40431

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Título: Exciton and multiexciton optical properties of single InAs/GaAs site-controlled quantum dots
Autor:
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Universitat Politècnica de València. Instituto Universitario de Telecomunicación y Aplicaciones Multimedia - Institut Universitari de Telecomunicacions i Aplicacions Multimèdia
Fecha difusión:
Resumen:
We have studied the optical properties of InAs site-controlled quantum dots (SCQDs) grown on pre-patterned GaAs substrates. Since InAs nucleates preferentially on the lithography motifs, the location of the resulting QDs ...[+]
Palabras clave: Close proximity , Emission , Surfaces , Photons , State
Derechos de uso: Reserva de todos los derechos
Fuente:
Applied Physics Letters. (issn: 0003-6951 )
DOI: 10.1063/1.4828352
Editorial:
American Institute of Physics (AIP)
Versión del editor: http://dx.doi.org/10.1063/1.4828352
Tipo: Artículo

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