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Effective electrochemical n-type doping of ZnO thin films for optoelectronic window applications

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Effective electrochemical n-type doping of ZnO thin films for optoelectronic window applications

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Cembrero Coca, P.; Mollar García, MA.; Singh, K.; Marí Soucase, B. (2013). Effective electrochemical n-type doping of ZnO thin films for optoelectronic window applications. Journal of Solid State Electrochemistry. 2(7):Q108-Q112. doi:10.1149/2.023307jss.

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10251/44374

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Metadatos del ítem

Título: Effective electrochemical n-type doping of ZnO thin films for optoelectronic window applications
Autor:
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Física Aplicada - Departament de Física Aplicada
Universitat Politècnica de València. Instituto de Diseño para la Fabricación y Producción Automatizada - Institut de Disseny per a la Fabricació i Producció Automatitzada
Fecha difusión:
Resumen:
An effective n-type doping of ZnO thin films electrochemically synthetized was achieved by varying the chloride ion concentration in the starting electrolyte. The ratio between chloride and zinc cations was varied between ...[+]
Palabras clave: ZnO , Electrodeposition , Doping
Derechos de uso: Reserva de todos los derechos
Fuente:
Journal of Solid State Electrochemistry. (issn: 1432-8488 )
DOI: 10.1149/2.023307jss
Editorial:
Springer Verlag (Germany)
Versión del editor: http://dx.doi.org/10.1149/2.023307jss
Patrocinador:
Spanish Government through MCINN MAT2009-14625-C03-03
European Commission through NanoCIS project 269279
Tipo: Artículo

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