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Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4

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Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4

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Robledillo Pastor, MA. (2013). Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4. http://hdl.handle.net/10251/35939.

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Title: Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4
Author: Robledillo Pastor, Mateo Antonio
Director(s): Gomis Hilario, Oscar Vilaplana Cerda, Rosario Isabel
UPV Unit: Universitat Politècnica de València. Departamento de Física Aplicada - Departament de Física Aplicada
Universitat Politècnica de València. Escuela Politécnica Superior de Alcoy - Escola Politècnica Superior d'Alcoi
Universitat Politècnica de València. Centro de Tecnologías Físicas: Acústica, Materiales y Astrofísica - Centre de Tecnologies Físiques: Acústica, Materials i Astrofísica
Read date / Event date:
2013-06-20
Issued date:
Copyrigths: Cerrado
Publisher:
Universitat Politècnica de València
degree: Ingeniería Técnica Industrial, esp. en Electricidad-Enginyeria Tècnica Industrial, esp. en Electricitat
Type: Proyecto/Trabajo fin de carrera/grado

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