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Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4

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Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4

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Robledillo Pastor, MA. (2013). Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4. http://hdl.handle.net/10251/35939.

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Metadatos del ítem

Título: Análisis espectrométrico Raman del semiconductor HgGa2S4
Autor: Robledillo Pastor, Mateo Antonio
Director(es): Gomis Hilario, Oscar Vilaplana Cerda, Rosario Isabel
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Departamento de Física Aplicada - Departament de Física Aplicada
Universitat Politècnica de València. Escuela Politécnica Superior de Alcoy - Escola Politècnica Superior d'Alcoi
Universitat Politècnica de València. Centro de Tecnologías Físicas: Acústica, Materiales y Astrofísica - Centre de Tecnologies Físiques: Acústica, Materials i Astrofísica
Fecha acto/lectura:
2013-06-20
Fecha difusión:
Derechos de uso: Cerrado
Editorial:
Universitat Politècnica de València
Titulación: Ingeniería Técnica Industrial, esp. en Electricidad-Enginyeria Tècnica Industrial, esp. en Electricitat
Tipo: Proyecto/Trabajo fin de carrera/grado

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