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Improvement of feature-scale profile evolution in a silicon dioxide plasma etching simulator using the level set method | 168 |
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Improvement of feature-scale profile evolution in a silicon dioxide plasma etching simulator using the level set method | 1 | 2 | 4 | 13 | 3 | 2 | 0 |
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-Montoliu;E Baer;Cerdá - Improvement of feature-scale profile evolution in a silicon dioxide plasm....pdf | 1 |
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Estados Unidos | 87 |
China | 21 |
España | 10 |
Francia | 10 |
Japón | 10 |
Irlanda | 8 |
Alemania | 7 |
Suecia | 6 |
Holanda | 2 |
Rusia | 2 |
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Ashburn | 42 |
Tokyo | 10 |
Valencia | 9 |
Beijing | 8 |
Dublin | 8 |
Nanjing | 5 |
Grenoble | 4 |
Louisville | 4 |
Stanford | 4 |
Villeurbanne | 4 |