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Estudio de la no linealidad de segundo orden en silicio deformado para aplicaciones de conmutación todo-óptica

RiuNet: Repositorio Institucional de la Universidad Politécnica de Valencia

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Estudio de la no linealidad de segundo orden en silicio deformado para aplicaciones de conmutación todo-óptica

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Van Roye, S. (2016). Estudio de la no linealidad de segundo orden en silicio deformado para aplicaciones de conmutación todo-óptica. http://hdl.handle.net/10251/92584

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Nombre: VAN - Estudio de ...
Tamaño: 1.308Mb
Formato: PDF
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Metadatos del ítem

Título: Estudio de la no linealidad de segundo orden en silicio deformado para aplicaciones de conmutación todo-óptica
Autor: Van Roye, Steven
Director(es): Sanchis Kilders, Pablo
Entidad UPV: Universitat Politècnica de València. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación - Escola Tècnica Superior d'Enginyers de Telecomunicació
Universitat Politècnica de València. Departamento de Comunicaciones - Departament de Comunicacions
Fecha acto/lectura:
2016-07-18
 Fecha difusión:
Resumen:
The goal of the thesis will be to study and optimize the second-order non-linearity generated in strained silicon for enabling all-optical switching applications. The strained silicon will be induced by a highly stressed ...[+]
Palabras clave: fabrication and characterization. , silicio , circuitos integrados fotónicos , no linealidades , conmutación
Derechos de uso: Reserva de todos los derechos
Editorial:
Universitat Politècnica de València
Titulación: Máster Universitario en Tecnologías, Sistemas y Redes de Comunicaciones-Màster Universitari en Tecnologies, Sistemes i Xarxes de Comunicacions
Tipo: Tesis de máster

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